Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

APTC60AM35T1G

MOSFET 2N-CH 600V 72A SP1

Paket/Kılıf
SP1
Seri / Aile Numarası
APTC60AM35T1G

APTC60AM35T1G Hakkında

APTC60AM35T1G, Microchip Technology tarafından üretilen 600V/72A yüksek voltaj N-Channel MOSFET'tir. Half-bridge konfigürasyonunda dizayn edilen bu bileşen, 35mOhm (Rds On) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. 518nC gate charge ve 14000pF input capacitance özellikleri ile anahtarlama hızı ve kontrollenebilirliği optimize edilmiştir. -40°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında 416W maksimum güç yönetimi yapabilir. SP1 chassis mount paketi ile endüstriyel uygulamalara uygun olan bu transistör, güç dönüştürme sistemleri, inverterler, motor kontrolü ve yüksek voltaj anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 72A
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
FET Feature Standard
FET Type 2 N-Channel (Half Bridge)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 518nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 14000pF @ 25V
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SP1
Part Status Active
Power - Max 416W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 72A, 10V
Supplier Device Package SP1
Vgs(th) (Max) @ Id 3.9V @ 5.4mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok