Transistörler - IGBT - Tekil

APT80GA90S

IGBT PT MOS 8 SINGLE 900 V 80 A

Paket/Kılıf
TO-268-3
Seri / Aile Numarası
APT80GA90S

APT80GA90S Hakkında

APT80GA90S, Microchip Technology tarafından üretilen tekil IGBT transistördür. PT (Punch Through) teknolojisine dayanan bu bileşen, maksimum 900V kolektör-emiter geriliminde 80A nominal akım ile çalışır. D³Pak (TO-268AA) paket tipi sayesinde yüksek güç uygulamalarında etkin ısı yayılımı sağlar. 625W maksimum güç derecelendirmesi ile endüstriyel motorlar, UPS sistemleri, güç kaynakları ve kaynak makineleri gibi uygulamalarda kullanılır. Hızlı anahtarlama özellikleri (on/off: 18ns/149ns), düşük kapı yükü (200nC) ve optimize edilmiş enerji kaybı, verimli ve kompakt devre tasarımına olanak tanır. -55°C ile +150°C arasında çalışır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 145 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 239 A
Gate Charge 200 nC
IGBT Type PT
Input Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Part Status Active
Power - Max 625 W
Supplier Device Package D3PAK
Switching Energy 1.625mJ (on), 1.389mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 18ns/149ns
Test Condition 600V, 47A, 4.7Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3.1V @ 15V, 47A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 900 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok