Transistörler - IGBT - Tekil
APT75GN60B2DQ3G
IGBT 600V 155A 536W TO264
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-264-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- APT75GN60B2DQ3G
APT75GN60B2DQ3G Hakkında
APT75GN60B2DQ3G, Microchip Technology tarafından üretilen 600V kollektör-emiter kırılma gerilimi ile çalışan bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 155A maksimum kollektör akımı ve 536W maksimum güç dağıtımına sahip bu bileşen, yüksek frekanslı ve yüksek güçlü anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-264-3 paketinde sunulan transistör, elektrik çevrim devrelerinde, güç dönüştürücülerde, motor sürücülerinde ve enerji dönüşüm sistemlerinde tercih edilir. 47ns açılış ve 385ns kapanış süresi ile hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 155 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 225 A |
| Gate Charge | 485 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-264-3, TO-264AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 536 W |
| Switching Energy | 2500µJ (on), 2140µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 47ns/385ns |
| Test Condition | 400V, 75A, 1Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.85V @ 15V, 75A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok