Transistörler - IGBT - Tekil

APT70GR65B2SCD30

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
APT70GR65B2

APT70GR65B2SCD30 Hakkında

APT70GR65B2SCD30, Microchip Technology tarafından üretilen 650V NPT tipi IGBT transistördür. 134A maksimum collector akımı ve 260A puls collector akımı kapasitesine sahiptir. TO-247-3 paketinde sunulan bu komponent, 595W maksimum güç disipasyonu ile sürücü devreleri, endüstriyel kontrol sistemleri, güç dönüştürücüler ve motor sürücü uygulamalarında kullanılır. 305nC gate charge ve 19ns/170ns on/off gecikmesi ile hızlı anahtarlama özelliği sunar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sağlar. Vce(on) değeri 15V gate gerilimi ve 70A collector akımında 2.4V'tur. Ürün artık üretilmemektedir (Obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 134 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 260 A
Gate Charge 305 nC
IGBT Type NPT
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Obsolete
Power - Max 595 W
Supplier Device Package T-MAX™ [B2]
Td (on/off) @ 25°C 19ns/170ns
Test Condition 433V, 70A, 4.3Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 70A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok