Transistörler - IGBT - Tekil
APT50GS60BRDQ2G
IGBT 600V 93A 415W TO247
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- APT50GS60B
APT50GS60BRDQ2G Hakkında
APT50GS60BRDQ2G, Microchip Technology tarafından üretilen NPT tipi IGBT transistördür. 600V kollektör-emitter gerilimi ve 93A maksimum kolektör akımına sahiptir. 415W maksimum güç kapasitesiyle endüstriyel uygulamalarda anahtarlama görevini gerçekleştirir. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 235nC gate charge ile hızlı anahtarlama karakteristiği gösterir. Reverse recovery time 25ns, switching energy 755µJ (off) dir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. Invertör, motor kontrolü, AC/DC dönüştürücü ve elektrik trayolarında kullanılan bu transistör, güç elektronik uygulamalarında geniş kullanım alanına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 93 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 195 A |
| Gate Charge | 235 nC |
| IGBT Type | NPT |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 415 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 25 ns |
| Supplier Device Package | TO-247 [B] |
| Switching Energy | 755µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 16ns/225ns |
| Test Condition | 400V, 40A, 4.7Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.15V @ 15V, 50A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok