Transistörler - IGBT - Tekil
APT45GR65SSCD10
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- APT45GR65SSCD10
APT45GR65SSCD10 Hakkında
APT45GR65SSCD10, Microchip Technology tarafından üretilen 650V NPT tipi Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) bileşenidir. Surface Mount D²Pak (TO-263AB) paketinde sunulan bu transistör, maksimum 118A kollektor akımı ve 224A pulse akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 543W güç sınırlaması ve 2.4V Vce(on) değeri ile anahtarlama uygulamalarında düşük kayıp sağlar. 80ns ters kurtarma zamanı ve 15ns/100ns açılış/kapanış gecikmesiyle hızlı komütasyon özellikleri barındırır. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. Endüstriyel güç dönüştürücüler, motor sürücüleri ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılır. Ürün Obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 118 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 224 A |
| Gate Charge | 203 nC |
| IGBT Type | NPT |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 543 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 80 ns |
| Supplier Device Package | D3PAK |
| Td (on/off) @ 25°C | 15ns/100ns |
| Test Condition | 433V, 45A, 4.3Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 45A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok