Transistörler - IGBT - Tekil
APT45GR65BSCD10
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- APT45GR65BSCD10
APT45GR65BSCD10 Hakkında
APT45GR65BSCD10, Microchip Technology tarafından üretilen Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) bileşenidir. 650V breakdown voltajına sahip bu NPT tipi IGBT, maksimum 118A kolektör akımında çalışabilir ve 543W güç dissipasyonuna dayanıklıdır. Pulse modunda 224A akıma kadar destekler. TO-247-3 paket içinde sunulan bu komponent, güç elektronikleri uygulamalarında, motor sürücüleri, inverterler, kaynak cihazları ve indüktif yük kontrolünde yaygın olarak kullanılır. 15ns açılış ve 100ns kapanış süresi ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Daha düşük Vce(on) değeri ile enerji kaybını minimize eder.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 118 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 224 A |
| Gate Charge | 203 nC |
| IGBT Type | NPT |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 543 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 80 ns |
| Supplier Device Package | TO-247 |
| Td (on/off) @ 25°C | 15ns/100ns |
| Test Condition | 433V, 45A, 4.3Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 45A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok