Transistörler - IGBT - Tekil
APT45GR65B2DU30
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- APT45GR65B2
APT45GR65B2DU30 Hakkında
APT45GR65B2DU30, Microchip Technology tarafından üretilen NPT tipi Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) olup, 650V breakdown voltajı ve 118A nominal kollektör akımı ile tasarlanmıştır. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 543W maksimum güç yönetimi kapasitesine sahiptir. Düşük on/off gecikmesi (15ns/100ns) ve 203nC gate charge karakteristiği ile anahtarlama uygulamalarında hız ve verimlilik sağlar. 80ns reverse recovery time ve 2.4V Vce(on) değerleri ile motor kontrol, güç dönüştürme sistemleri, UPS üniteleri ve endüstriyel inverterlerde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 118 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 224 A |
| Gate Charge | 203 nC |
| IGBT Type | NPT |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 543 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 80 ns |
| Supplier Device Package | T-MAX™ [B2] |
| Td (on/off) @ 25°C | 15ns/100ns |
| Test Condition | 433V, 45A, 4.3Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 45A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok