Transistörler - IGBT - Tekil
APT35GP120B2D2G
IGBT PT COMBI 1200V 35A TO-247
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-247-3 Variant
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- APT35GP120B2D2G
APT35GP120B2D2G Hakkında
APT35GP120B2D2G, Microchip Technology tarafından üretilen bir PT tipi IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 1200V dayanım gerilimi ve 35A nominal kolektör akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 540W maksimum güç kapasitesine ve 85ns reverse recovery time'a sahip olan APT35GP120B2D2G, endüstriyel kontrol sistemleri, motor sürücüleri, enerji dönüştürücüleri ve anahtarlama güç kaynakları gibi uygulamalarda çalışır. Cihaz -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığında kullanılabilir ve through-hole montaj yöntemini destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 96 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 140 A |
| Gate Charge | 150 nC |
| IGBT Type | PT |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 Variant |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 540 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 85 ns |
| Supplier Device Package | T-MAX™ [B2] |
| Switching Energy | 1mJ (on), 1.185mJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 14ns, 99ns |
| Test Condition | 800V, 35A, 5Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.9V @ 15V, 35A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok