Transistörler - IGBT - Tekil
APT35GN120SG/TR
IGBT FIELDSTOP LOW FREQUENCY SIN
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-268-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- APT35GN120SG
APT35GN120SG/TR Hakkında
APT35GN120SG/TR, Microchip Technology tarafından üretilen NPT (Non-Punch Through) Trench Field Stop teknolojisine dayanan yüksek voltaj IGBT transistörüdür. 1200V collector-emitter breakdown voltajı ve 84A sürekli collector akımı ile endüstriyel uygulamalarda güç anahtarlama görevlerini yerine getirir. 379W maksimum güç dissipasyonu kapasitesine sahip bu transistör, düşük frekans güç dönüştürücü uygulamaları, UPS sistemleri, kaynak makineleri ve endüstriyel motor sürücülerinde kullanılır. 220nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama özelliğine sahip olup, 24ns açılma ve 300ns kapanma süresi ile denetlenebilir komütasyon sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu bileşen, TO-268-3 (D³Pak) SMD paketinde sunulmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 84 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 105 A |
| Gate Charge | 220 nC |
| IGBT Type | NPT, Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 379 W |
| Supplier Device Package | D3PAK |
| Switching Energy | -, 2.315mJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 24ns, 300ns |
| Test Condition | 800V, 35A, 2.2Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 35A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok