Transistörler - IGBT - Tekil
APT30GT60BRDQ2G
IGBT 600V 64A 250W TO247
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- APT30GT60BRD
APT30GT60BRDQ2G Hakkında
APT30GT60BRDQ2G, Microchip Technology tarafından üretilen 600V rated IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. NPT (Non Punch Through) teknolojisiyle tasarlanan bu komponent, maksimum 64A DC collector akımı ve 250W güç disipasyonu kapasitesine sahiptir. TO-247-3 paketinde sunulan transistör, ağır endüstriyel uygulamalar, motor kontrol, invertörler, kaynak makineleri ve güç dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. 7.5nC gate charge, 22ns reverse recovery time ve düşük 2.5V on-state voltajı ile verimli anahtarlama karakteristikleri sunar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sağlayan yüksek entegre devre elemanıdır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 64 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 110 A |
| Gate Charge | 7.5 nC |
| IGBT Type | NPT |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 250 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 22 ns |
| Supplier Device Package | TO-247 [B] |
| Switching Energy | 80µJ (on), 605µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 12ns/225ns |
| Test Condition | 400V, 30A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 30A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok