Transistörler - IGBT - Tekil
APT25GR120SSCD10
IGBT 1200V 75A 521W D3PAK
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-268-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- APT25GR120SSCD10
APT25GR120SSCD10 Hakkında
APT25GR120SSCD10, Microchip Technology tarafından üretilen 1200V/75A kapasiteli NPT (Non-Punch Through) teknolojisine sahip bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. D³Pak (TO-268-3) paketinde sunulan bu komponent, 521W maksimum güç dağıtımı kapasitesine sahiptir. Gate charge değeri 203 nC olup, açılma ve kapanma geçiş süreleri sırasıyla 16ns ve 122ns'dir. Maksimum collector-emitter doyum voltajı 15V gate voltajında 25A akımda 3.2V'dur. -55°C ile +150°C arasında güvenli çalışma sıcaklık aralığına sahiptir. Güç elektroniği uygulamaları, inverted DC/DC konverterleri, motor sürücü devreleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında kullanılmaktadır. Not: Bu ürün üretim dışı (obsolete) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 75 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 100 A |
| Gate Charge | 203 nC |
| IGBT Type | NPT |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 521 W |
| Supplier Device Package | D3PAK |
| Switching Energy | 434µJ (on), 466µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 16ns/122ns |
| Test Condition | 600V, 25A, 4.3Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.2V @ 15V, 25A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok