Transistörler - IGBT - Tekil

APT25GP120BDQ1G

IGBT 1200V 69A 417W TO247

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
APT25GP120BDQ1G

APT25GP120BDQ1G Hakkında

APT25GP120BDQ1G, Microchip Technology tarafından üretilen 1200V IGBT transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 69A sürekli kolektör akımı ve 90A pulsed akımı ile çalışabilir. Maksimum 417W güç dağıtabilir. PT tipi IGBT olarak tasarlanmış bu transistör, 110nC gate charge değerine sahiptir. Vce(on) maksimum değeri 15V gate voltajında 25A akımda 3.9V'dur. 12ns açılış ve 70ns kapanış hızları ile hızlı anahtarlama özelliği sağlar. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklık aralığına sahiptir. Güç elektronikleri uygulamalarında, invertör devreleri, motor sürücüleri ve enerji dönüştürme sistemlerinde yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 69 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 90 A
Gate Charge 110 nC
IGBT Type PT
Input Type Standard
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Active
Power - Max 417 W
Supplier Device Package TO-247 [B]
Switching Energy 500µJ (on), 440µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 12ns/70ns
Test Condition 600V, 25A, 5Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3.9V @ 15V, 25A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok