Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
APT10SCD120B
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-247-2
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- APT10SCD120B
APT10SCD120B Hakkında
APT10SCD120B, Microchip Technology tarafından üretilen 1.2kV/36A kapasiteli Silicon Carbide (SiC) Schottky diyottur. TO-247 paketinde sunulan bu komponent, yüksek voltaj uygulamalarında doğrultma işlevi görmektedir. 1.8V forward voltage ve 200µA reverse leakage karakteristiğiyle düşük kayıp özelliği sunar. 0ns reverse recovery time sayesinde hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilmektedir. Geniş sıcaklık aralığında (-55°C ~ 150°C) çalışabilir. Güç kaynakları, invertörler, solar paneller ve endüstriyel doğrultma devrelerinde kullanılmaktadır. Bileşen mevcut üretim dışı (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 600pF @ 0V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 36A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 200 µA @ 1200 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | TO-247-2 |
| Part Status | Obsolete |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-247 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8 V @ 10 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok