Transistörler - IGBT - Tekil

AOT10B65M2

IGBT 650V 10A TO220

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
AOT10B65M2

AOT10B65M2 Hakkında

AOT10B65M2, Alpha and Omega Semiconductor tarafından üretilen 650V kollektör-emitör diyot kırılma gerilimi ile tasarlanmış yalıtkanlaştırılmış kapı bipolar transistörüdür (IGBT). TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 10A nominal ve 20A maksimum kollektör akımında çalışabilir. 24 nC kapı yükü ve 180µJ açılış/130µJ kapatılış anahtarlama enerjisi ile güç uygulamalarında verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile +175°C arasındaki çalışma sıcaklığı aralığı geniş sıcaklık ortamlarına uyum gösterir. 150W maksimum güç kapasite ve 262ns ters kurtarma süresi ile endüstriyel sürücü devreleri, motor kontrolü, güç kaynakları ve fotovoltaik uygulamalarında kullanılır. Aktif ürün statüsü ve standart giriş tipi özellikleriyle güvenilir tasarımlar için uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 20 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 30 A
Gate Charge 24 nC
Input Type Standard
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power - Max 150 W
Reverse Recovery Time (trr) 262 ns
Supplier Device Package TO-220
Switching Energy 180µJ (on), 130µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 12ns/91ns
Test Condition 400V, 10A, 30Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok