Transistörler - IGBT - Tekil

AOT10B60D

IGBT 600V 20A 163W TO220

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
AOT10B60D

AOT10B60D Hakkında

AOT10B60D, Alpha and Omega Semiconductor tarafından üretilen 600V 20A kapasiteli bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. TO-220-3 paketinde sağlanan bu komponent, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 163W maksimum güç yayınlama kapasitesine sahip olan transistör, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Vce(on) değeri 15V gate voltajında 10A akımda 1.8V olup, 17.4nC gate charge ile hızlı anahtarlama özelliği sunar. Reverse recovery time 105ns ve switching energy değerleri (on: 260µJ, off: 70µJ) sayesinde verimli çalışır. Endüstriyel sürücüler, fotovoltaik inverter sistemleri ve güç dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 20 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 40 A
Gate Charge 17.4 nC
Input Type Standard
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power - Max 163 W
Reverse Recovery Time (trr) 105 ns
Supplier Device Package TO-220
Switching Energy 260µJ (on), 70µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 10ns/72ns
Test Condition 400V, 10A, 30Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok