Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
AOSD62666E
MOSFET 2 N-CH 60V 9.5A 8SOIC
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Seri / Aile Numarası
- AOSD62666E
AOSD62666E Hakkında
AOSD62666E, Alpha and Omega Semiconductor tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltajına ve 9.5A sürekli dren akımına sahip olan bu bileşen, logic level gate özellikleri ile düşük voltaj uygulamalarında kullanılabilir. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışır. 10V gate voltajında 14.5mΩ Rds(on) değerine sahiptir. Motor kontrol, elektrik anahtarlama, güç yönetimi ve genel dijital elektronik uygulamalarında kullanılan bir komponenttir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 755pF @ 30V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 2.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.5mOhm @ 9.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok