Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

AOSD21311C

MOSFET 2P-CH 8-SOIC

Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
AOSD21311C

AOSD21311C Hakkında

AOSD21311C, Alpha and Omega Semiconductor tarafından üretilen dual P-Channel MOSFET transistörüdür. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 30V Drain-Source voltaj derecesi ve 5A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile çalışır. RDS(on) değeri 42mOhm (5A, 10V koşullarında) olan transistör, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve genel amaçlı lojik kontrol sistemlerinde kullanılır. 1.7W maksimum güç dağılımı ve -55°C ile 150°C arasında geniş çalışma sıcaklık aralığı sunan AOSD21311C, iki P-Channel MOSFET'i tek pakete entegre ederek tasarım alanı tasarrufu sağlar. Düşük gate charge (23nC @ 10V) sayesinde hızlı anahtarlama performansı elde edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Standard
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 720pF @ 15V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Active
Power - Max 1.7W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42mOhm @ 5A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok