Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
AOE6930
MOSFET 2 N-CH 30V 22A/85A 8DFN
- Paket/Kılıf
- 8-VDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- AOE6930
AOE6930 Hakkında
AOE6930, Alpha and Omega Semiconductor tarafından üretilen dual N-channel asimetrik MOSFET transistör dizisidir. 30V Drain-to-Source gerilim değeri ile tasarlanmıştır. Kompakt 8-VDFN (5x6mm) yüzey montajlı pakette sunulur. Cihaz 22A (Tc) ve 85A (Tc) sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. RDS(on) değeri 10V gate geriliminde sırasıyla 4.3mΩ (20A) ve 0.83mΩ (30A) düzeyindedir. Maksimum gate yükü 4.5V'de 15nC ve 65nC'dir. -55°C ile +150°C arasında işletme sıcaklığını destekler. Maksimum güç dağılımı 24W ve 75W'tır. Bu MOSFET, düşük iletim kaybı gerektiren anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devreleri, motor kontrol sistemleri ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 22A (Tc), 85A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 4.5V, 65nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1075pF @ 15V, 5560pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-VDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 24W, 75W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.3mOhm @ 20A, 10V, 0.83mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-DFN (5x6) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA, 1.9V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok