Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
ALD212900PAL
MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP
- Üretici
- Advanced Linear Devices, Inc.
- Paket/Kılıf
- 8-PDIP
- Seri / Aile Numarası
- ALD212900
ALD212900PAL Hakkında
ALD212900PAL, Advanced Linear Devices tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistör dizisidir. Bu komponentin sürekli drain akımı 80mA, maksimum drain-source gerilimi 10.6V ve maksimum güç dissipasyonu 500mW'dir. Logic level gate özelliği sayesinde düşük gerilim sinyallerle kontrolü mümkündür. RDS(on) değeri 14Ohm ile hassas anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. 0°C ile 70°C arasında çalışır. Through-hole montajlı 8-PDIP paketinde sunulan bu komponenti, analog sinyal işleme, anahtarlama devreleri, amplifikatör uygulamaları ve genel amaçlı transistör eşleştirme gerektiren tasarımlarda kullanabilirsiniz.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 10.6V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) Matched Pair |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 30pF @ 5V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 0°C ~ 70°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 500mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14Ohm |
| Supplier Device Package | 8-PDIP |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 20mV @ 20µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok