Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
ALD212900ASAL
MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC
- Üretici
- Advanced Linear Devices, Inc.
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Seri / Aile Numarası
- ALD212900
ALD212900ASAL Hakkında
ALD212900ASAL, Advanced Linear Devices tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistör çiftidir. Logic level gate özelliği ile 10.6V drain-source gerilimi altında 80mA sürekli akım taşıyabilir. 14Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük kanal direncine sahiptir. 8-pin SOIC yüzey montaj paketinde sunulan bu matched pair transistör, eş karakteristikleri sayesinde diferansiyel uygulamalar, push-pull çıkış devreleri ve analog anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 0°C ile 70°C arasında çalışan ve 500mW maksimum güç yayabilen bu komponent, ses işleme, sinyal yönetimi ve düşük voltaj kontrol uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 10.6V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) Matched Pair |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 30pF @ 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 0°C ~ 70°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 500mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14Ohm |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 10mV @ 20µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok