Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

ALD111933SAL

MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC

Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
ALD111933

ALD111933SAL Hakkında

ALD111933SAL, Advanced Linear Devices tarafından üretilen çift N-kanal MOSFET dizisidir. 8-SOIC yüzey montajlı paket ile sunulan bu komponent, 10.6V drain-source gerilim kapasitesine ve 500mΩ maksimum Rds(on) değerine sahiptir. 2.5pF input kapasitans ve 3.35V eşik gerilimi ile hassas sinyal işleme ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 500mW güç dağılımı ile düşük güçlü kontrol devreleri, sensör arayüzleri ve lojik uygulamalarında yer bulur. 0°C ile 70°C arasında stabil çalışma sağlar. Eşleştirilmiş çift transistör yapısı ile diferansiyel ve push-pull konfigürasyonlarında etkin performans gösterir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Drain to Source Voltage (Vdss) 10.6V
FET Feature Standard
FET Type 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2.5pF @ 5V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 0°C ~ 70°C (TJ)
Part Status Active
Power - Max 500mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500Ohm @ 5.9V
Supplier Device Package 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id 3.35V @ 1µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok