Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

ALD1110ESAL

MOSFET 2N-CH 10V 8SOIC

Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
ALD1110

ALD1110ESAL Hakkında

ALD1110ESAL, Advanced Linear Devices tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET eşleştirilmiş çiftinin entegre edilmiş dizisidir. 10V Drain-Source gerilimi (Vdss) ile çalışan bu komponent, 500Ω maksimum RDS(on) değerine sahiptir. 8-SOIC yüzey montajlı paket içinde sunulan ALD1110ESAL, 0-70°C işletme sıcaklığı aralığında ve 600mW maksimum güç tüketimi ile anahtarlama uygulamaları, dar alan çözümleri ve düşük voltaj lojik uygulamalarında kullanılır. 2.5pF maksimum input kapasitansı ile hızlı anahtarlama performansı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Drain to Source Voltage (Vdss) 10V
FET Feature Standard
FET Type 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2.5pF @ 5V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 0°C ~ 70°C (TJ)
Part Status Active
Power - Max 600mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500Ohm @ 5V
Supplier Device Package 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id 1.01V @ 1µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok