Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
ALD1110EPAL
MOSFET 2N-CH 10V 8DIP
- Üretici
- Advanced Linear Devices, Inc.
- Paket/Kılıf
- 8-PDIP
- Seri / Aile Numarası
- ALD1110
ALD1110EPAL Hakkında
ALD1110EPAL, Advanced Linear Devices tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistör dizisidir. 10V drain-source voltaj derecesi ile düşük gerilim uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 500Ohm maksimum RDS(on) değeri ile anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde verimli performans sunar. 2.5pF input kapasitansı hızlı komütasyon sağlar. Through hole montaj tipi ile klasik PCB tasarımlarına uyumludur. 0°C ~ 70°C çalışma sıcaklığı aralığı ve 600mW maksimum güç derecelemesi ile, endüstriyel kontrolü, sinyal işleme ve güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir. 8-PDIP paket formatında sunulur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 10V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) Matched Pair |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2.5pF @ 5V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 0°C ~ 70°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 600mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500Ohm @ 5V |
| Supplier Device Package | 8-PDIP |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.01V @ 1µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok