Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

ALD110908SAL

MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC

Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
ALD110908

ALD110908SAL Hakkında

ALD110908SAL, Advanced Linear Devices tarafından üretilen dual N-channel MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) dizisidir. 8-SOIC paket içinde iki eşleştirilmiş N-kanallı transistörü barındıran bu komponent, 10.6V drain-source voltaj toleransına sahiptir. 12mA ve 3mA sürekli drenaj akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. Maksimum 500mW güç tüketim sınırlaması vardır. Vgs threshold voltajı maksimum 820mV'dir. 500Ohm drain-source direnç (Rds On) ile anahtarlama devrelerinde, ses sinyali işleme, analog multiplexing ve diğer analog switching uygulamalarında tercih edilir. 0°C ile 70°C çalışma sıcaklık aralığına sahip olup yüzey montajı teknolojisine uyygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12mA, 3mA
Drain to Source Voltage (Vdss) 10.6V
FET Feature Standard
FET Type 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2.5pF @ 5V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 0°C ~ 70°C (TJ)
Part Status Active
Power - Max 500mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500Ohm @ 4.8V
Supplier Device Package 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id 820mV @ 1µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok