Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
ALD110908APAL
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
- Üretici
- Advanced Linear Devices, Inc.
- Paket/Kılıf
- 8-PDIP
- Seri / Aile Numarası
- ALD110908
ALD110908APAL Hakkında
ALD110908APAL, Advanced Linear Devices tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistör çiftidir. 10.6V drain-source gerilim desteği ile düşük voltaj uygulamalarında kullanılır. 12mA ve 3mA maksimum drain akımı özellikleriyle, düşük güç tüketimli devrelerde anahtarlama ve amplifikasyon işlevlerini gerçekleştirir. 500mW güç kapasitesi ve 500Ohm maksimum RDS(on) değeri ile analog sinyal işleme, ses frekansı amplifikasyonu ve dijital kontrol uygulamalarında yer bulur. Through-hole 8-PDIP paketinde sunulan bileşen, 0-70°C çalışma sıcaklığı aralığında güvenli işletme sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12mA, 3mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 10.6V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) Matched Pair |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2.5pF @ 5V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 0°C ~ 70°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 500mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500Ohm @ 4.8V |
| Supplier Device Package | 8-PDIP |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 810mV @ 1µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok