Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
ALD1101BPAL
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
- Üretici
- Advanced Linear Devices, Inc.
- Paket/Kılıf
- 8-PDIP
- Seri / Aile Numarası
- ALD1101B
ALD1101BPAL Hakkında
ALD1101BPAL, Advanced Linear Devices tarafından üretilen dual N-channel MOSFET'ten oluşan eşleştirilmiş bir çifttir. 10.6V drain-source voltajı ile çalışan bu bileşen, 0°C ile 70°C sıcaklık aralığında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 75Ohm maksimum RDS(on) değeri ve 500mW güç derecelendirilmesi ile gücü sınırlı uygulamalarda anahtarlama ve amplifikasyon görevleri yerine getirir. Through-hole montaj türüne sahip 8-PDIP paketinde sunulan bileşen, eşleştirilmiş karakteristikleri sayesinde diferansiyel ve hassas analog uygulamalarda tercih edilir. Düşük gate threshold voltajı (1V @ 10µA) ile hızlı aç-kapa işlemlerine uygun bir yapıya sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 10.6V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) Matched Pair |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 0°C ~ 70°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 500mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75Ohm @ 5V |
| Supplier Device Package | 8-PDIP |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 10µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok