Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
ALD1101APAL
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
- Üretici
- Advanced Linear Devices, Inc.
- Paket/Kılıf
- 8-PDIP
- Seri / Aile Numarası
- ALD1101A
ALD1101APAL Hakkında
ALD1101APAL, Advanced Linear Devices tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistörüdür. Eşleştirilmiş çift yapısı ile yüksek parametrik uyumluluğun gerekli olduğu uygulamalarda kullanılır. 10.6V drain-source voltajı ve 75Ω RDS(on) değerleriyle anahtarlama devreleri, akım yönetimi ve düşük güç uygulamalarında tercih edilir. 500mW maksimum güç derecelendirmesi ile kompakt tasarımları destekler. 8-pin DIP paket tipinde through-hole montaj imkanı sunarak, analog ve diferansiyel devre tasarımlarında, logaritmik amplifikatörler, analog çoğaltıcılar ve diğer hassas IC uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 0°C ile 70°C çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 10.6V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) Matched Pair |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10pF @ 5V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 0°C ~ 70°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 500mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75Ohm @ 5V |
| Supplier Device Package | 8-PDIP |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 10µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok