Transistörler - IGBT - Tekil
AIKW50N65RF5XKSA1
SIC_DISCRETE
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- AIKW50N65RF5
AIKW50N65RF5XKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen AIKW50N65RF5XKSA1, 650V Trench Field Stop tipi IGBT transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu komponent, maksimum 80A collector akımı ve 150A pulse akımı ile çalışabilir. -40°C ile +175°C sıcaklık aralığında kullanılabilen transistör, 250W maksimum güç dissipasyonuna sahiptir. 109nC gate charge ve 2.1V Vce(on) değerleri ile güç dönüştürme uygulamalarında, motor kontrol sistemlerinde, inverter devrelerinde ve kaynak makinalarında kullanılır. Düşük switching loss karakteristiği (on: 310µJ, off: 120µJ) sayesinde yüksek frekans uygulamalarında tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 80 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 150 A |
| Gate Charge | 109 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 250 W |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3 |
| Switching Energy | 310µJ (on), 120µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 20ns/156ns |
| Test Condition | 400V, 25A, 12Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 50A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok