Transistörler - IGBT - Tekil
AIKW50N65DH5XKSA1
IC DISCRETE 650V TO247-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- AIKW50N65DH
AIKW50N65DH5XKSA1 Hakkında
Infineon Technologies AIKW50N65DH5XKSA1, 650V rated Trench IGBT transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu komponent, 150A pulsed collector akımı ve 2.1V Vce(on) değerleri ile düşük kayıp uygulamalar için tasarlanmıştır. 270W maksimum güç yeteneğine sahip olan cihaz, -40°C ile 175°C junction sıcaklık aralığında çalışabilir. Hızlı anahtarlama özellikleriyle (21ns turn-on, 156ns turn-off), modern güç dönüştürücüler, inverterler, motor kontrol devreleri ve endüstriyel enerji uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 1018nC gate charge değeri ile orta hızlı anahtarlama karakteristiği gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 150 A |
| Gate Charge | 1018 nC |
| IGBT Type | Trench |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 270 W |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3-41 |
| Switching Energy | 490µJ (on), 140µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 21ns/156ns |
| Test Condition | 400V, 25A, 12Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 50A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok