Transistörler - IGBT - Tekil
AIKW50N65DF5XKSA1
IC DISCRETE 650V TO247-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- AIKW50N65DF5
AIKW50N65DF5XKSA1 Hakkında
AIKW50N65DF5XKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 650V tekil IGBT transistörüdür. Trench teknolojisiyle tasarlanan bu bileşen, maksimum 150A pulse kollektör akımı ve 270W güç derecelendirmesine sahiptir. TO-247-3 paket formatında montaj için kullanılır. 2.1V Vce(on) değeri ile düşük kondüksiyon kayıpları sunarak, güç elektronik uygulamalarında verimli çalışma sağlar. Switching enerji değerleri (on: 490µJ, off: 140µJ) ve hızlı geçiş zamanları (Td on/off: 21ns/156ns) ile güç kaynakları, invertörler, motor sürücüleri ve endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak kullanılmaktadır. -40°C ile 175°C junction sıcaklık aralığında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 150 A |
| Gate Charge | 1018 nC |
| IGBT Type | Trench |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 270 W |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3-41 |
| Switching Energy | 490µJ (on), 140µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 21ns/156ns |
| Test Condition | 400V, 25A, 12Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 50A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok