Transistörler - IGBT - Tekil
AIKB30N65DF5ATMA1
IC DISCRETE 650V TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- AIKB30N65DF5
AIKB30N65DF5ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen AIKB30N65DF5ATMA1, 650V Trench Field Stop IGBT transistörüdür. TO-263-3 (D²Pak) SMD paketinde sunulan bu bileşen, 55A maksimum collector akımı ve 90A pulsed akım kapasitesine sahiptir. 188W maksimum güç dağıtımı ile tasarlanmış olup, -40°C ile +175°C arası çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir. Vce(on) değeri 15V gate geriliminde 30A akımda 2.1V olarak belirtilmiştir. 70nC gate charge ve 67ns reverse recovery time özellikleri ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. Endüstriyel uygulamalar, motor kontrol, güç kaynakları ve inverter tasarımlarında kullanılmaya uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 55 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 90 A |
| Gate Charge | 70 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 188 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 67 ns |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Switching Energy | 330µJ (on), 100µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 25ns/188ns |
| Test Condition | 400V, 15A, 23Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 30A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok