Transistörler - IGBT - Tekil
AIHD15N60RFATMA1
IC DISCRETE 600V TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- AIHD15N60RFATMA1
AIHD15N60RFATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen AIHD15N60RFATMA1, 600V Trench Field Stop IGBT transistörüdür. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu diskret komponentin maksimum kollektör akımı 30A, darbe akımı ise 45A'dir. 15A/400V test koşullarında 2.5V Vce(on) değerine sahiptir. Ön açılış süresi 13ns, arka kapanış süresi 160ns olan bu transistör, 270µJ açılış ve 250µJ kapanış anahtarlama enerjisine sahiptir. -40°C ile +175°C arasında çalışabilen bileşen, maksimum 240W güç dağıtabilir. DC/DC konvertörleri, motor kontrol devreleri, güç anahtarlama uygulamaları ve endüstriyel sürücü sistemlerinde kullanılır. Bileşen obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 30 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 45 A |
| Gate Charge | 90 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 240 W |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3-313 |
| Switching Energy | 270µJ (on), 250µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 13ns/160ns |
| Test Condition | 400V, 15A, 15Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 15A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok