Transistörler - IGBT - Tekil

AIHD15N60RATMA1

IC DISCRETE 600V TO252-3

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
AIHD15N60RATMA1

AIHD15N60RATMA1 Hakkında

AIHD15N60RATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V Trench Field Stop IGBT transistörüdür. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulur. 30A maksimum kolektör akımı ve 45A darbe akımı kapasitesiyle, güç elektronik uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 250W maksimum güç dağıtımı, 90nC gate charge ve 16ns açılış/183ns kapanış süreleriyle hızlı komütasyon sağlar. Vce(sat) değeri 15A/15V şartlarında 2.1V'dur. -40°C ile 175°C arasında çalışır. Motor kontrol, inverter, SMPS ve endüstriyel güç dönüştürücülerde uygulanır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 30 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 45 A
Gate Charge 90 nC
IGBT Type Trench Field Stop
Input Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power - Max 250 W
Supplier Device Package PG-TO252-3-313
Switching Energy 370µJ (on), 530µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 16ns/183ns
Test Condition 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 15A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok