Transistörler - IGBT - Tekil
AIHD10N60RFATMA1
IC DISCRETE 600V TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- AIHD10N60RFATMA1
AIHD10N60RFATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen AIHD10N60RFATMA1, 600V sınıfı yüksek gerilim IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) diskret bileşenidir. Trench Field Stop teknolojisiyle tasarlanan bu transistör, maksimum 20A sürekli kolektör akımı ve 30A darbe akımı kapasitesine sahiptir. TO-252-3 (DPak) surface mount paketinde sunulan komponent, 150W güç dağıtımı yapabilmektedir. -40°C ile +175°C arasında çalışmaya uygun olup, anahtarlama uygulamalarında düşük anahtarlama enerjisi (on: 190µJ, off: 160µJ) sağlar. 64nC gate charge ve 12ns/168ns turn-on/turn-off zamanları ile hızlı komütasyon gerektiren endüstriyel güç dönüştürücüler, motor kontrol devreleri, inverter ve UPS sistemlerinde kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 20 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 30 A |
| Gate Charge | 64 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 150 W |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3-313 |
| Switching Energy | 190µJ (on), 160µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 12ns/168ns |
| Test Condition | 400V, 10A, 26Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 10A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok