Transistörler - IGBT - Tekil
AIHD10N60RATMA1
IC DISCRETE 600V TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- AIHD10N60RATMA1
AIHD10N60RATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen AIHD10N60RATMA1, 600V Trench Field Stop IGBT transistörüdür. TO-252-3 (DPak) yüzey montajlı paketlemede sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Maksimum 20A sabit akım ve 30A darbe akımına sahip olan cihaz, 64nC kapı yükü ve 150W maksimum güç dağılımı karakteristiğine sahiptir. -40°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığına dayanır. Vce(on) değeri 15V kapı geriliminde 10A akımda 2.1V'dur. Anahtarlama enerjileri açma için 210µJ, kapama için 380µJ'dur. DC/DC dönüştürücüler, inverterler ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Bu ürün üretim dışı (Obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 20 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 30 A |
| Gate Charge | 64 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 150 W |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3-313 |
| Switching Energy | 210µJ (on), 380µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 14ns/192ns |
| Test Condition | 400V, 10A, 23Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 10A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok