Transistörler - IGBT - Tekil
AIHD06N60RFATMA1
IC DISCRETE 600V TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- AIHD06N60RFATMA1
AIHD06N60RFATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen AIHD06N60RFATMA1, 600V Trench Field Stop IGBT transistörüdür. TO-252-3 (DPak) yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, 12A maksimum kolektör akımı ve 18A pulslu akım kapasitesine sahiptir. 48nC gate charge ve 100W maksimum güç derecelendirmesi ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -40°C ile 175°C arasında çalışır. Vce(on) 15V gate geriliminde 2.5V olarak belirtilmiştir. On/off switching enerjisi sırasıyla 90µJ'dir. Endüstriyel sürücü devreleri, güç kaynakları ve motor kontrol uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 12 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 18 A |
| Gate Charge | 48 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 100 W |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3-313 |
| Switching Energy | 90µJ (on), 90µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 8ns/105ns |
| Test Condition | 400V, 6A, 23Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 6A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok