Transistörler - IGBT - Tekil
AIHD06N60RATMA1
IC DISCRETE 600V TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- AIHD06N60RATMA1
AIHD06N60RATMA1 Hakkında
Infineon Technologies AIHD06N60RATMA1, 600V Trench Field Stop IGBT transistörüdür. Maksimum 12A sürekli kolektör akımı (Ic) ve 18A darbe akımı (Icm) kapasitesine sahiptir. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel sürücü devreleri, anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol uygulamaları ve çevirici topologylerinde kullanılır. 2.1V Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Gate charge 48nC ve switching energy değerleri (110µJ açılış, 220µJ kapanış) hızlı ve verimli anahtarlama performansı sunar. -40°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir operasyon garantiler. Maksimum 100W güç dissipasyonuyla kompakt tasarımlar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 12 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 18 A |
| Gate Charge | 48 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 100 W |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3-313 |
| Switching Energy | 110µJ (on), 220µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 12ns/127ns |
| Test Condition | 400V, 6A, 23Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 6A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok