Transistörler - IGBT - Tekil
AIHD04N60RFATMA1
IC DISCRETE 600V TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- AIHD04N60RFA
AIHD04N60RFATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen AIHD04N60RFATMA1, 600V Trench Field Stop IGBT transistörüdür. TO-252-3 (DPak) Surface Mount paketinde sunulan bu komponent, 8A maksimum collector akımı ve 12A pulse akımı ile çalışır. 75W güç dağıtım kapasitesine sahip olup, -40°C ile 175°C işletme sıcaklık aralığında kullanılabilir. 2.5V Vce(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. Şalter enerjisi 60µJ (açılış) ve 50µJ (kapanış) olarak belirtilmiştir. Endüstriyel uygulamalar, motor kontrolü, güç yönetimi sistemleri ve anahtarlamayan güç uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 8 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 12 A |
| Gate Charge | 27 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 75 W |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3-313 |
| Switching Energy | 60µJ (on), 50µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 12ns/116ns |
| Test Condition | 400V, 4A, 43Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 4A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok