Transistörler - IGBT - Tekil
AIHD04N60RATMA1
IC DISCRETE 600V TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- AIHD04N60RA
AIHD04N60RATMA1 Hakkında
AIHD04N60RATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V IGBT transistördür. Trench Field Stop teknolojisini kullanan bu bileşen, 8A sürekli ve 12A darbe kolektör akımı kapasitesine sahiptir. TO-252-3 (DPak) SMD paketinde sunulan komponent, maksimum 75W güç disipasyonuna ve 27nC gate charge değerine sahiptir. Vce(on) değeri 15V gate voltajında 4A akımda 2.1V'tur. -40°C ile 175°C arası çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir. Switching energy değerleri sırasıyla 90µJ (on) ve 150µJ (off) şeklindedir. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrol, güç dönüştürücüleri ve inverter devreleri için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 8 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 12 A |
| Gate Charge | 27 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 75 W |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Switching Energy | 90µJ (on), 150µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 14ns/146ns |
| Test Condition | 400V, 4A, 43Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 4A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok