Transistörler - IGBT - Tekil
AIHD03N60RFATMA1
IC DISCRETE 600V TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- AIHD03N60RFATMA1
AIHD03N60RFATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen AIHD03N60RFATMA1, 600V Trench Field Stop IGBT transistörüdür. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, maksimum 5A kollektör akımı ve 7.5A darbe akımı kapasitesi ile çalışır. 53.6W maksimum güç derecelemesi ile anahtarlama uygulamalarında, motor kontrol devrelerinde ve güç kaynağı tasarımlarında kullanılır. Gate yükü 17.1nC, açılış/kapanış gecikmesi sırasıyla 10ns/128ns olup, -40°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Vce(on) değeri 15V gate voltajında 2.5A akımda 2.5V'tur. Standard giriş tipi ve verimli enerji dönüştürme özellikleri ile düşük kayıplı tasarımlar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 5 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 7.5 A |
| Gate Charge | 17.1 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Market |
| Power - Max | 53.6 W |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3-313 |
| Switching Energy | 50µJ (on), 40µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 10ns/128ns |
| Test Condition | 400V, 2.5A, 68Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 2.5A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok