Transistörler - IGBT - Tekil
AIGB30N65F5ATMA1
DISCRETE SWITCHES
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- AIGB30N65F5ATMA1
AIGB30N65F5ATMA1 Hakkında
AIGB30N65F5ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen ayrık IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) anahtarlamasıdır. NPT (Non-Punch-Through) teknolojisine dayalı bu bileşen, maksimum 30 A kollektör akımı ve 650 V kollektör-emitör kırılma gerilimi ile tasarlanmıştır. TO-263-3 D²Pak paketinde sunulan bu transistör, endüstriyel güç dönüştürme uygulamaları, motor kontrol devreleri, kaynak makinaları ve güç kaynakları gibi orta güç seviyesi uygulamalarında kullanılır. Yüzey montaj teknolojisine uygun olup, standart giriş türü ile çalışır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 30 A |
| IGBT Type | NPT |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok