Diyotlar - Doğrultucular - Tekil

AIDW30S65C5XKSA1

DIODE SCHOTTKY 650V 30A TO247

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
AIDW30S65C5

AIDW30S65C5XKSA1 Hakkında

AIDW30S65C5XKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) Schottky diyottur. 650V maksimum ters gerilim ve 30A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesiyle tasarlanmıştır. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek frekanslı güç uygulamalarında, anahtarlama güç kaynakları, invertörler ve AC/DC dönüştürücülerde kullanılır. SiC teknolojisi sayesinde sıfır geri kazanım süresi (trr) ve düşük ileri voltaj düşüşü (Vf = 1.7V @ 30A) özellikleri ile enerji verimliliği arttırır. -40°C ile +175°C junction sıcaklık aralığında çalışabilir. Through-hole montajı ile PCB'lere doğrudan lehimlenmesi mümkündür.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Capacitance @ Vr, F 860pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io) 30A (DC)
Current - Reverse Leakage @ Vr 120 µA @ 650 V
Diode Type Silicon Carbide Schottky
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature - Junction -40°C ~ 175°C
Package / Case TO-247-3
Part Status Active
Reverse Recovery Time (trr) 0 ns
Speed No Recovery Time > 500mA (Io)
Supplier Device Package PG-TO247-3-41
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.7 V @ 30 A

Kaynaklar

Datasheet

AIDW30S65C5XKSA1 PDF

İndir →

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok