Transistörler - FET, MOSFET - RF

AFV141KHSR5

IC TRANS RF LDMOS

Paket/Kılıf
NI-1230-4S
Seri / Aile Numarası
AFV141KHSR5

AFV141KHSR5 Hakkında

AFV141KHSR5, NXP Semiconductors tarafından üretilen RF LDMOS (Laterally Diffused Metal-Oxide-Semiconductor) transistörüdür. Dual LDMOS yapısıyla tasarlanan bu bileşen, 1.4 GHz frekans aralığında yüksek güç RF uygulamaları için kullanılır. 1000 W çıkış gücüne, 17.7 dB kazanca ve 105 V çalışma voltajına sahiptir. NI-1230-4S paket standardında sunulan bu transistör, radyo frekans amplifikatörleri, broadcast ve endüstriyel RF sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. Test koşullarında 100 mA akım ve 50 V test voltajı için karakterize edilmiştir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Test 100 mA
Frequency 1.4GHz
Gain 17.7dB
Package / Case NI-1230-4S
Part Status Active
Power - Output 1000W
Supplier Device Package NI-1230-4S
Transistor Type LDMOS (Dual)
Voltage - Rated 105 V
Voltage - Test 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok