Transistörler - FET, MOSFET - RF

AFV141KGSR5

IC TRANS RF LDMOS

Paket/Kılıf
NI-1230-4S GW
Seri / Aile Numarası
AFV141

AFV141KGSR5 Hakkında

AFV141KGSR5, NXP Semiconductors tarafından üretilen dual LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor) RF transistörüdür. 1.4GHz frekans bandında çalışmaya tasarlanmış bu bileşen, 1000W çıkış gücü ve 17.7dB kazanç sağlar. 105V nominal ve 50V test voltajında işletilir, 100mA test akımında karakterize edilmiştir. NI-1230-4S GW paketinde sunulan bu transistör, RF amplifikasyon uygulamalarında, yüksek güçlü haberleşme sistemlerinde, endüstriyel ısıtma ve broadcast yayın cihazlarında kullanılır. Yüksek verimlilik ve güvenilir performans gerektiren RF güç amplifikasyonu tasarımlarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Test 100 mA
Frequency 1.4GHz
Gain 17.7dB
Package / Case NI-1230-4S GW
Part Status Active
Power - Output 1000W
Supplier Device Package NI-1230-4S GULL
Transistor Type LDMOS (Dual)
Voltage - Rated 105 V
Voltage - Test 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok