Transistörler - FET, MOSFET - RF
AFV121KHSR5
IC TRANS RF LDMOS
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- NI-1230-4S
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- AFV121KHSR5
AFV121KHSR5 Hakkında
AFV121KHSR5, NXP Semiconductors tarafından üretilen dual LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor) RF transistörüdür. 960MHz ile 1.22GHz frekans aralığında çalışan bu bileşen, 1000W çıkış gücü ve 19.6dB kazanç değerleriyle RF güç amplifikasyonu uygulamalarında kullanılır. 112V nominal gerilim ve 50V test gerilimi ile tasarlanan cihaz, hücresel iletişim, broadcast ve endüstriyel RF uygulamalarında frekans amplifikasyonu için tercih edilir. NI-1230-4S paketinde sunulan komponent, yüksek frekanslı güç yönetimi gerektiren sistemlerde entegrasyon için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 100 mA |
| Frequency | 960MHz ~ 1.22GHz |
| Gain | 19.6dB |
| Package / Case | NI-1230-4S |
| Part Status | Active |
| Power - Output | 1000W |
| Supplier Device Package | NI-1230-4S |
| Transistor Type | LDMOS (Dual) |
| Voltage - Rated | 112 V |
| Voltage - Test | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok