Transistörler - FET, MOSFET - RF
AFV121KGSR5
IC TRANS RF LDMOS
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- NI-1230-4S GW
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- AFV121K
AFV121KGSR5 Hakkında
AFV121KGSR5, NXP Semiconductors tarafından üretilen dual LDMOS (Laterally Diffused Metal-Oxide-Semiconductor) RF transistörüdür. 960MHz ile 1.22GHz frekans bandında çalışmak üzere tasarlanmış, 1000W çıkış gücü kapasitesi ile yüksek güç uygulamaları için uygundur. 19.6dB kazanç ve 50V test voltajında karakterize edilmiştir. NI-1230-4S GW paket tipi ile sağlanır. Hücresel altyapı, broadcast, radar ve endüstriyel RF güç amplifikatörü uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 100 mA |
| Frequency | 960MHz ~ 1.22GHz |
| Gain | 19.6dB |
| Package / Case | NI-1230-4S GW |
| Part Status | Active |
| Power - Output | 1000W |
| Supplier Device Package | NI-1230-4S GULL |
| Transistor Type | LDMOS (Dual) |
| Voltage - Rated | 112 V |
| Voltage - Test | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok