Transistörler - FET, MOSFET - RF
AFV09P350-04GNR3
RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- OM-780G-4L
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- AFV09P350
AFV09P350-04GNR3 Hakkında
AFV09P350-04GNR3, Rochester Electronics tarafından üretilen RF güç alanı etkili transistörüdür (FET/MOSFET). LDMOS (Laterally Diffused Metal-Oxide-Semiconductor) teknolojisine dayalı dual transistör yapısı ile tasarlanan bu bileşen, 920MHz frekansında çalışmak üzere optimize edilmiştir. 100W çıkış gücü, 19.5dB kazanç ve 48V test gerilimi ile RF amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 860mA test akımı, 105V nominal gerilim değeri ve OM-780G-4L kılıfında sunulan bu transistör, mobil iletişim, radyo frekans ve kablosuz haberleşme sistemlerinde kullanılır. Yüksek verimlilik ve güvenilir performans için tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 860 mA |
| Frequency | 920MHz |
| Gain | 19.5dB |
| Package / Case | OM-780G-4L |
| Part Status | Active |
| Power - Output | 100W |
| Supplier Device Package | OM-780G-4L |
| Transistor Type | LDMOS (Dual) |
| Voltage - Rated | 105 V |
| Voltage - Test | 48 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok