Transistörler - FET, MOSFET - RF

AFV09P350-04GNR3

RF MOSFET LDMOS DL 48V OM780G-4L

Paket/Kılıf
OM-780G-4L
Seri / Aile Numarası
AFV09P350

AFV09P350-04GNR3 Hakkında

AFV09P350-04GNR3, NXP Semiconductors tarafından üretilen dual LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor) RF MOSFET transistördür. 920 MHz çalışma frekansında 100W çıkış gücü sağlayabilen bu bileşen, 48V test voltajında 860mA test akımı ve 19.5dB kazanç karakteristiği ile tasarlanmıştır. 105V nominal çalışma voltajı ile yüksek güç RF amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. OM-780G-4L paket tipi ile mobil haberleşme, radyo frekans güç amplifikatörleri ve endüstriyel RF sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. Aktif parça statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Test 860 mA
Frequency 920MHz
Gain 19.5dB
Package / Case OM-780G-4L
Part Status Active
Power - Output 100W
Supplier Device Package OM-780G-4L
Transistor Type LDMOS (Dual)
Voltage - Rated 105 V
Voltage - Test 48 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok