Transistörler - FET, MOSFET - RF
AFT26H250W03SR6
RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- NI-1230-4S
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- AFT26H250W03SR6
AFT26H250W03SR6 Hakkında
AFT26H250W03SR6, Rochester Electronics tarafından üretilen RF POWER MOSFET transistördür. LDMOS (Lateral Double-Diffused Metal-Oxide-Semiconductor) teknolojisine dayanan bu dual transistör, 2.496GHz ile 2.69GHz frekans aralığında çalışmak üzere tasarlanmıştır. 50W çıkış gücü ve 14.1dB kazanç ile RF güç amplifikasyonu uygulamalarında kullanılır. 65V nominal çalışma gerilimi ve NI-1230-4S paket standardında sunulan bileşen, hücresel iletişim sistemleri, kablosuz veri iletişimi ve RF haberleşme cihazlarında kullanılan güç amplifikatörleri için uygun bir seçenektir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 700 mA |
| Current Rating (Amps) | 10µA |
| Frequency | 2.496GHz ~ 2.69GHz |
| Gain | 14.1dB |
| Package / Case | NI-1230-4S |
| Part Status | Active |
| Power - Output | 50W |
| Supplier Device Package | NI-1230-4S |
| Transistor Type | LDMOS (Dual) |
| Voltage - Rated | 65 V |
| Voltage - Test | 28 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok